Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4-1: Microwave diodes and transistors - Microwave field effect transistors - Blank detail specification
国家标准《半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位 中国电子技术标准化研究所 。
主要起草人 罗发明 、刘春勋 。
20061346-T-339 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范
GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管