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半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors(IGBT)

国家标准 推荐性 现行

国家标准《半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 西安电力电子技术研究所 、西安爱帕克电力电子有限公司 、英飞凌科技（中国）有限公司 、威海新佳电子有限公司 、江苏宏微科技有限公司 。

主要起草人 蔚红旗 、张立 、陈子颖 、乜连波 、王晓宝 、秦贤满 。

目录

1标准状态

  • 发布于2012-12-31
  • 执行于2013-06-01
  • 废止于

2基础信息

标准号
GB/T 29332-2012
发布日期
2012-12-31
实施日期
2013-06-01
中国标准分类号
L42
国际标准分类号
31.080.30;31.080.01
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部（电子）

3起草单位

4起草人

蔚红旗 张立 王晓宝 秦贤满 陈子颖 乜连波

5相近标准（计划）

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