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半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors--Section One:Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

国家标准 推荐性 现行

国家标准《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范》由TC78（全国半导体器件标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。

主要起草单位 电子工业部标准化研究所 。

目录

1标准状态

  • 发布于1998-11-17
  • 执行于1999-06-01
  • 废止于

2基础信息

标准号
GB/T 6219-1998
发布日期
1998-11-17
实施日期
1999-06-01
全部代替标准
GB 6219-1986
中国标准分类号
L42
国际标准分类号
31.080.30
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
执行单位
全国半导体器件标准化技术委员会
主管部门
工业和信息化部（电子）

3起草单位

4起草人

5相近标准（计划）

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