Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors
国家标准计划《半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口上报,TC78SC1(全国半导体器件标准化技术委员会半导体分立器件分会)执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位 中国电子技术标准化研究院 、济南市半导体元件实验所 、西安卫光科技有限公司(国营第八七七厂) 。
主要起草人 张秋 、卞岩 、王嘉蓉 、侯秀萍 。
本标准等同采用IEC国际标准:IEC60747-8:2010。
采标中文名称:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管。
GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范
GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
20064065-T-339 半导体器件 第7部分:双极型晶体管
GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范