Semiconductor devices--Discrete devices--Part 2:Rectifier diodes--Section One:Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti fier diodes),ambient and case-rated,up to 100A
国家标准《半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范》由TC78(全国半导体器件标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为工业和信息化部(电子)。
主要起草单位 电子工业部标准化研究所 。
GB/T 16894-1997 大于100A,环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范
GB/T 4023-2015 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
GB/T 13151-2005 半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
DB52/T 861-2013 2CB003型硅雪崩整流二极管详细规范
JB 5836-1991 ZK系列5A以上管壳额定快恢复整流二极管