锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
国家标准计划《锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
目录
1项目进度
- 网上公示
- 起草
- 征求意见
- 审查
- 批准
- 发布
2基础信息
- 计划号
- 20065635-T-469
- 制修订
- 修订
- 项目周期
- 24个月
- 下达日期
- 2006-07-05
- 全部代替标准
- GB/T 11297.6-1989
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3相近标准（计划）
GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法- GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
- GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
- GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
- GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
- SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
- GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
- 20173473-T-610 砷化镓单晶位错密度的测试方法
- 20173474-T-610 锗单晶位错密度的测试方法
