锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
Germanium monocrystal - inspection of dislocation etch pit density
国家标准《锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法》由610（中国有色金属工业协会）归口上报及执行，主管部门为中国有色金属工业协会。
主要起草单位 北京有色金属研究总院 。
主要起草人 余怀之 、刘建平 。
目录
1标准状态
- 发布于2006-07-18
- 执行于2006-11-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 5252-2006
- 发布日期
- 2006-07-18
- 实施日期
- 2006-11-01
- 全部代替标准
- GB/T 5252-1985
- 中国标准分类号
- H17
- 国际标准分类号
- 77.040.01
- 归口单位
- 中国有色金属工业协会
- 执行单位
- 中国有色金属工业协会
- 主管部门
- 中国有色金属工业协会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
GB/T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法- 20065635-T-469 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法
- GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
- SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
- SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
- 20173473-T-610 砷化镓单晶位错密度的测试方法
- 20173474-T-610 锗单晶位错密度的测试方法
- GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
