硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法
行业标准《硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法》由全国半导体设备和材料标准化技术委员会归口上报，主管部门为工业和信息化部。
主要起草单位 信息产业专用材料质量监督检验中心 、工业和信息化部电子工业标准化研究院 、苏州晶瑞化学有限公司等 。
主要起草人 马农农 、何友琴 、何秀坤等 。
目录
1标准状态
- 发布于2015-10-01
- 执行于2015-04-30
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- SJ/T 11493-2015
- 发布日期
- 2015-04-30
- 实施日期
- 2015-10-01
- 中国标准分类号
- H82
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 工业和信息化部
- 行业分类
- 无
3备案信息
备案号：50550-2015。
备案公告： 2015年第7号 。
4起草单位
5起草人
6相近标准（计划）
SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法- GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
- GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、Al受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
- GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
- GB/T 16147-1995 空气中氡浓度的闪烁瓶测量方法
- GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法
- GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
- YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
- YS/T 516-2012 钨丝二次再结晶温度测量方法
