发光二极管芯片点测方法
Probe test method for light emitting diode chips
国家标准计划《发光二极管芯片点测方法》由339-1（工业和信息化部（电子））归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位 三安光电股份有限公司 、厦门市三安光电科技有限公司 、中国电子技术标准化研究院 、广州赛西标准检测研究院有限公司 。
主要起草人 蔡伟智 、梁奋 、刘秀娟 、李国煌 、吕艳 、金威 、邵晓娟 、周钢 、时军朋 。
目录
1项目进度
- 网上公示
- 起草
- 征求意见
- 审查
- 批准
- 发布
2基础信息
- 计划号
- 20151775-T-339
- 制修订
- 制订
- 项目周期
- 24个月
- 下达日期
- 2015-08-18
- 中国标准分类号
- L45
- 国际标准分类号
- 31.260
- 归口单位
- 工业和信息化部（电子）
- 执行单位
- 工业和信息化部（电子）
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
3起草单位
4相近标准（计划）
DB35/T 1370-2013 发光二极管芯片点测方法- DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片
- SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
- 20130009-T-339 功率半导体发光二极管芯片技术规范
- 20130011-T-339 中功率半导体发光二极管芯片技术规范
- SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
- SJ/T 11624-2016 发光二极管（LED）显示屏用发光二极管规范
- DB36/T 579-2010 LED(发光二极管)路灯
- SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
- GB/T 35846-2018 发光二极管照明用玻璃管
