锑化铟多晶、单晶及切割片
Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices
国家标准《锑化铟多晶、单晶及切割片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 峨嵋半导体材料厂 。
主要起草人 王炎 、何兰英 、张梅 。
目录
1标准状态
- 发布于2009-10-30
- 执行于2010-06-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 11072-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 全部代替标准
- GB/T 11072-1989
- 中国标准分类号
- H83
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
20151788-T-469 硅单晶切割片和研磨片- 20173767-T-610 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 26071-2010 太阳能电池用硅单晶切割片
- GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片
- GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
- GB/T 29508-2013 300mm 硅单晶切割片和磨削片
- GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
- 20065635-T-469 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- GB/T 11297.6-1989 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
- GB/T 11297.7-1989 锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
