锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法
Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
国家标准《锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 航空航天部8358研究所 。
目录
1标准状态
- 发布于1989-03-31
- 执行于1990-01-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 11297.7-1989
- 发布日期
- 1989-03-31
- 实施日期
- 1990-01-01
- 中国标准分类号
- L32
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
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