硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法
Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction
国家标准《硅片氧沉淀特性的测定 间隙氧含量减少法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 洛阳单晶硅有限责任公司 。
目录
1标准状态
- 发布于2004-02-05
- 执行于2004-07-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 19444-2004
- 发布日期
- 2004-02-05
- 实施日期
- 2004-07-01
- 中国标准分类号
- H26
- 国际标准分类号
- 29.040
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
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