掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
国家标准《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 有研半导体材料股份有限公司 、四川新光硅业科技有限责任公司 、中国计量科学研究院 、浙江省硅材料质量检验中心 、杭州海纳半导体有限公司 、浙江金瑞泓科技股份有限公司 、西安隆基硅材料股份有限公司 。
主要起草人 孙燕 、梁洪 、高英 、楼春兰 、张静 、王飞尧等 。
目录
1标准状态
- 发布于2014-12-31
- 执行于2015-09-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 13389-2014
- 发布日期
- 2014-12-31
- 实施日期
- 2015-09-01
- 全部代替标准
- GB/T 13389-1992
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
有研半导体材料股份有限公司