稳态条件下半导体器件的温度湿度偏置寿命测试方法
Temperature humidity bias life test method for semi-conductor devices in steady state
国家标准计划《稳态条件下半导体器件的温度湿度偏置寿命测试方法》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为中国科学院。
主要起草单位 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 。
目录
1项目进度
- 网上公示
- 起草
- 征求意见
- 审查
- 批准
- 发布
2基础信息
- 计划号
- 20120940-T-491
- 制修订
- 制订
- 项目周期
- 48个月
- 下达日期
- 2012-10-12
- 归口单位
- 全国纳米技术标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国纳米技术标准化技术委员会
- 主管部门
- 中国科学院
3起草单位
4相近标准（计划）
20130106-T-339 半导体器件 机械和气候试验方法 第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验- SJ/T 10414-2015 半导体器件用焊料
- GB/T 8446.2-2004 电力半导体器件用散热器 第2部分:热阻和流阻测试方法
- DB52/T 1104-2016 半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法
- JB/T 10097-2000 电力半导体器件用管壳
- JB/T 7061-1993 电力半导体器件用硅圆片
- SJ/T 10535-1994 半导体器件用钨舟
- GB/T 2900.32-1994 电工术语 电力半导体器件
- YS/T 641-2007 半导体器件键合用铝丝
- JB/T 9687.1-1999 电力半导体器件用钼圆片
