椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法
Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer
国家标准《椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法》由TC279（全国纳米技术标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为中国科学院。
主要起草单位 上海交通大学 、纳米技术及应用国家工程研究中心 。
主要起草人 金承钰 、李威 、梁齐 、路庆华 、何丹农 、张冰 。
目录
1标准状态
- 发布于2014-09-30
- 执行于2015-04-15
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 31225-2014
- 发布日期
- 2014-09-30
- 实施日期
- 2015-04-15
- 中国标准分类号
- J04
- 国际标准分类号
- 17.040.01
- 归口单位
- 全国纳米技术标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国纳米技术标准化技术委员会
- 主管部门
- 中国科学院
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
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