硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
国家标准《硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法》由TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 中国科学院化学研究所 、中国计量科学研究院 。
主要起草人 刘芬 、王海 、赵良仲 、宋小平 、赵志娟 、邱丽美 。
目录
1标准状态
- 发布于2010-09-26
- 执行于2011-08-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 25188-2010
- 发布日期
- 2010-09-26
- 实施日期
- 2011-08-01
- 中国标准分类号
- G04
- 国际标准分类号
- 71.040.40
- 归口单位
- 全国微束分析标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国微束分析标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
GB/T 25184-2010 X射线光电子能谱仪检定方法- GB/T 19500-2004 X-射线光电子能谱分析方法通则
- 20151802-T-469 表面化学分析 X射线光电子能谱 薄膜分析结果的报告
- GB/Z 32490-2016 表面化学分析 X射线光电子能谱 确定本底的程序
- GB/T 30704-2014 表面化学分析 X射线光电子能谱 分析指南
- GB/T 28632-2012 表面化学分析 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱 横向分辨率测定
- SJ/T 10714-1996 检查X射线光电子能谱仪工作特性的标准方法
- GB/T 31470-2015 俄歇电子能谱与X射线光电子能谱测试中确定检测信号对应样品区域的通则
- GB/T 33502-2017 表面化学分析 X射线光电子能谱（XPS）数据记录与报告的规范要求
- GB/T 22571-2017 表面化学分析 X射线光电子能谱仪 能量标尺的校准
