硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
practice for shallow etch pit detection on silicon
国家标准《硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 洛阳单晶硅有限责任公司 。
主要起草人 田素霞 、张静雯 、王文卫 、周涛 。
目录
1标准状态
- 发布于2011-01-10
- 执行于2011-10-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 26066-2010
- 发布日期
- 2011-01-10
- 实施日期
- 2011-10-01
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
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