Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
国家标准《硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 信息产业部专用材料质量监督检验中心 、中国电子科技集团公司第四十六研究所 。
主要起草人 李静 、何秀坤 、蔺娴 。
GA/T 593-2006 光致发光照相、录像方法规则
GB/T 21382-2008 光致发光(磷光)安全标记光学性能要求
SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法
SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法
QB/T 4004-2010 计时仪器 光致发光涂层 试验方法和要求
SJ/T 11629-2016 太阳能电池用硅片和电池片的在线光致发光分析方法
GB/T 12962-2015 硅单晶
GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法