半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法
行业标准《半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法》由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口上报，主管部门为工业和信息化部。
主要起草单位 工业和信息化部电子第五研究所 。
主要起草人 罗宏伟 、何玉娟 、恩云飞等 。
目录
1标准状态
- 发布于2016-06-01
- 执行于2016-01-15
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- SJ/T 11586-2016
- 发布日期
- 2016-01-15
- 实施日期
- 2016-06-01
- 中国标准分类号
- L40
- 国际标准分类号
- 31.080.01
- 归口单位
- 工业和信息化部电子工业标准化研究院
- 主管部门
- 工业和信息化部
- 行业分类
- 无
3备案信息
备案号：54885-2016。
备案公告： 2016年第7号 。
4起草单位
5起草人
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