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硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法

Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots —— Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method

国家标准计划 修订 推荐性

国家标准计划《硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 有研半导体材料有限公司 、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司 、中国计量科学研究院 、浙江省硅材料质量检验中心 、广州市昆德科技有限公司 、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 、天津市环欧半导体材料技术有限公司 、北京合能阳光新能源技术有限公司 。

主要起草人 曹孜 、孙燕 、黄黎 、赵而敬 、徐红骞 、高英 、石宇 、楼春兰 、王昕 、张雪囡 、林清香 、刘卓 、肖宗杰 。

目录

1项目进度

  • 网上公示
  • 起草
  • 征求意见
  • 审查
  • 批准
  • 发布

2基础信息

计划号
20151792-T-469
制修订
修订
项目周期
24个月
下达日期
2015-08-18
全部代替标准
GB/T 26068-2010
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
主管部门
国家标准化管理委员会

3起草单位

4投票情况

投票日期
2018-04-23~2018-05-07
通过率
100.00%

5相近标准（计划）

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