多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法
Polycrystalline silicon—Determination of trace elements—Glow discharge mass spectrometry method
国家标准《多晶硅 痕量元素化学分析 辉光放电质谱法》由TC38（全国微束分析标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 中国科学院上海硅酸盐研究所 。
主要起草人 卓尚军 、钱荣 、董疆丽 、申如香 、盛成 、高捷 、郑文平 。
目录
1标准状态
- 发布于2016-12-13
- 执行于2017-11-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 33236-2016
- 发布日期
- 2016-12-13
- 实施日期
- 2017-11-01
- 中国标准分类号
- G04
- 国际标准分类号
- 71.040.40
- 归口单位
- 全国微束分析标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国微束分析标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
20142685-T-610 高纯银化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法- YS/T 901-2013 高纯钨化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
- YS/T 895-2013 高纯铼化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
- YS/T 897-2013 高纯铌化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
- YS/T 899-2013 高纯钽化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
- YS/T 1012-2014 高纯镍化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
- YS/T 1011-2014 高纯钴化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
- YS/T 229.4-2013 高纯铅化学分析方法 第4部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
- YS/T 923.2-2013 高纯铋化学分析方法 第2部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
- YS/T 871-2013 高纯铝化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法
