半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
国家标准《半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 信息产业专用材料质量监督检验中心 、天津市环欧半导体材料技术有限公司 、中国电子材料行业协会 。
主要起草人 何秀坤 、李静 、张雪囡 。
目录
1标准状态
- 发布于2015-12-10
- 执行于2016-07-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 17170-2015
- 发布日期
- 2015-12-10
- 实施日期
- 2016-07-01
- 全部代替标准
- GB/T 17170-1997
- 中国标准分类号
- H17
- 国际标准分类号
- 77.040
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
4起草人
5相近标准（计划）
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