半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
国家标准计划《半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范》由339-1（工业和信息化部（电子））归口上报及执行，主管部门为工业和信息化部（电子）。
主要起草单位 中国电子技术标准化研究院 、中国电子科技集团公司第十三研究所 、国家半导体器件质量监督检验中心 、厦门市三安光电科技有限公司 。
主要起草人 刘秀娟 、赵英 、黄杰 、彭浩 、赵敏 、张瑞霞 、邵小娟 。
目录
1项目进度
- 网上公示
- 起草
- 征求意见
- 审查
- 批准
- 发布
2基础信息
- 计划号
- 20130007-T-339
- 制修订
- 制订
- 标准号
- GB/T 36360-2018
- 项目周期
- 12个月
- 下达日期
- 2013-05-20
- 中国标准分类号
- L53
- 国际标准分类号
- 31.260
- 归口单位
- 工业和信息化部（电子）
- 执行单位
- 工业和信息化部（电子）
- 主管部门
- 工业和信息化部（电子）
3起草单位
4相近标准（计划）
20130005-T-339 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范- 20130006-T-339 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
- SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范
- SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范
- 20180209-T-339 半导体器件 第5-6部分：光电子器件-发光二极管
- GB/T 18904.3-2002 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范
- SJ/T 11397-2009 半导体发光二极管用萤光粉
- SJ/T 11394-2009 半导体发光二极管测试方法
- DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片
- GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用)
