制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备
Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
国家标准计划《制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 东莞市中镓半导体科技有限公司 、中国电子技术标准化研究院 。
主要起草人 刘鹏 、孙永健 、丁晓民 、冯亚彬 、王健辉 。
目录
1项目进度
- 网上公示
- 起草
- 征求意见
- 审查
- 批准
- 发布
2基础信息
- 计划号
- 20130022-T-469
- 制修订
- 制订
- 项目周期
- 24个月
- 下达日期
- 2013-05-20
- 中国标准分类号
- L95
- 国际标准分类号
- 31.220
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
3起草单位
东莞市中镓半导体科技有限公司4投票情况
- 投票日期
- 2018-03-01~2018-04-20
- 通过率
- 75.42%
