太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法

Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

国家标准计划制订推荐性

国家标准计划《太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位英利集团有限公司、中国电子技术标准化研究院、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、泰州中来光电科技有限公司、晋能清洁能源科技有限公司、镇江仁德新能源科技有限公司、天津英利新能源有限公司。

主要起草人李锋、李英叶、段青春、张伟、吴翠姑、冯亚彬、裴会川、程小娟、唐骏。