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电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法

Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon ——Inductively coupled-plasma mass spectrometry method

国家标准计划 制订 推荐性

国家标准计划《电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 江苏中能硅业科技发展有限公司青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司有研半导体材料有限公司宜昌南玻硅材料有限公司新特能源股份有限公司洛阳中硅高科技有限公司

主要起草人 鲁文锋刘晓霞秦榕孙燕赵而敬王桃霞赵玉王忠慧柳德发张园园银波邱艳梅刘强

目录

1项目进度

  • 网上公示
  • 起草
  • 征求意见
  • 审查
  • 批准
  • 发布

2基础信息

计划号
20141873-T-469
制修订
制订
项目周期
48个月
下达日期
2014-12-23
中国标准分类号
H17
国际标准分类号
77.040.30
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准化管理委员会

3起草单位

4投票情况

投票日期
2018-04-16~2018-04-30
通过率
77.97%

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