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采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法

Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry

国家标准 推荐性 现行

国家标准《采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法》由TC203(全国半导体设备和材料标准化技术委员会)归口上报及执行,主管部门为国家标准化管理委员会。

主要起草单位 国家太阳能光伏产品质量监督检验中心(无锡市产品质量监督检验中心)江苏中能硅业科技发展有限公司国家硅材料深加工产品质量监督检验中心江西赛维LDK太阳能高科技有限公司中国电子技术标准化研究院

主要起草人 何莉吴建国王琴周滢刘晓霞鲁文锋陈进封丽娟李建德黄雪雯孙绍武冯亚彬裴会川

目录

1标准状态

  • 发布于2016-04-25
  • 执行于2016-11-01
  • 废止于

2基础信息

标准号
GB/T 32651-2016
发布日期
2016-04-25
实施日期
2016-11-01
中国标准分类号
H82
国际标准分类号
29.045
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
执行单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管部门
国家标准化管理委员会

3起草单位

4起草人

5相近标准(计划)

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