硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
国家标准《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口上报及执行，主管部门为国家标准化管理委员会。
主要起草单位 宁波立立电子股份有限公司 、南京国盛电子有限公司 、信息产业部专用材料质量监督检验中心 。
主要起草人 李慎重 、许峰 、刘培东 、谌攀 、马林宝 、何秀坤 。
目录
1标准状态
- 发布于2009-10-30
- 执行于2010-06-01
- 废止于
2基础信息
- 标准号
- GB/T 14141-2009
- 发布日期
- 2009-10-30
- 实施日期
- 2010-06-01
- 全部代替标准
- GB/T 14141-1993
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 归口单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 执行单位
- 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管部门
- 国家标准化管理委员会
宁波立立电子股份有限公司